Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP31A-E3/D

KEY Part #: K6440236

EGP31A-E3/D Цены (доллары США) [247410шт сток]

  • 1 pcs$0.14950

номер части:
EGP31A-E3/D
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD. Rectifiers 3A,50V,50NS
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP31A-E3/D electronic components. EGP31A-E3/D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP31A-E3/D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP31A-E3/D Атрибуты продукта

номер части : EGP31A-E3/D
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 950mV @ 3A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 50ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 50V
Емкость @ Vr, F : 117pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-201AD, Axial
Комплект поставки устройства : DO-201AD
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • BYM07-200/32

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • VS-HFA04TB60SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • BYD13GGPHE3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL.