Toshiba Semiconductor and Storage - TK39N60W5,S1VF

KEY Part #: K6416066

TK39N60W5,S1VF Цены (доллары США) [11530шт сток]

  • 1 pcs$3.08049
  • 30 pcs$2.52624
  • 120 pcs$2.27974
  • 510 pcs$1.91005
  • 1,020 pcs$1.66359

номер части:
TK39N60W5,S1VF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W5,S1VF electronic components. TK39N60W5,S1VF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK39N60W5,S1VF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK39N60W5,S1VF Атрибуты продукта

номер части : TK39N60W5,S1VF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 38.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 74 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 135nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4100pF @ 300V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 270W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.