Toshiba Semiconductor and Storage - TK12Q60W,S1VQ

KEY Part #: K6404166

[2105шт сток]


    номер части:
    TK12Q60W,S1VQ
    производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Подробное описание:
    MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK12Q60W,S1VQ electronic components. TK12Q60W,S1VQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK12Q60W,S1VQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK12Q60W,S1VQ Атрибуты продукта

    номер части : TK12Q60W,S1VQ
    производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
    Описание : MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
    Серии : DTMOSIV
    Состояние детали : Active
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 11.5A (Ta)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 340 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 600µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 25nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±30V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 890pF @ 300V
    Функция FET : Super Junction
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 100W (Tc)
    Рабочая Температура : 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : I-PAK
    Пакет / Дело : TO-251-3 Stub Leads, IPak

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • NP90N03VHG-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 30V 90A TO-252.

    • NP60N055VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.

    • NP60N04VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.

    • AUIRLR024Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • AUIRFR4292

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

    • TK16A60W5,S4VX

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.