IXYS - IXFH18N90P

KEY Part #: K6394629

IXFH18N90P Цены (доллары США) [12163шт сток]

  • 1 pcs$4.54362
  • 10 pcs$4.09014
  • 100 pcs$3.36311
  • 500 pcs$2.81773

номер части:
IXFH18N90P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH18N90P electronic components. IXFH18N90P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH18N90P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH18N90P Атрибуты продукта

номер части : IXFH18N90P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH TO-247
Серии : HiPerFET™, PolarP2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 900V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 97nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5230pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 540W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AD (IXFH)
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в