Описание :
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Состояние детали :
Active
Технология :
GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss) :
200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C :
8.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs :
2.5nC @ 5V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds :
270pF @ 100V
Рассеиваемая Мощность (Макс) :
-
Рабочая Температура :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
Die