Toshiba Semiconductor and Storage - RN2109MFV,L3F

KEY Part #: K6528730

RN2109MFV,L3F Цены (доллары США) [3227101шт сток]

  • 1 pcs$0.01146

номер части:
RN2109MFV,L3F
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2109MFV,L3F electronic components. RN2109MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2109MFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2109MFV,L3F Атрибуты продукта

номер части : RN2109MFV,L3F
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : PNP - Pre-Biased
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 47 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 22 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : -
Мощность - Макс : 150mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOT-723
Комплект поставки устройства : VESM

Вы также можете быть заинтересованы в