IXYS - IXFT18N100Q3

KEY Part #: K6394663

IXFT18N100Q3 Цены (доллары США) [7060шт сток]

  • 1 pcs$6.74670
  • 90 pcs$6.71313

номер части:
IXFT18N100Q3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFT18N100Q3 electronic components. IXFT18N100Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT18N100Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT18N100Q3 Атрибуты продукта

номер части : IXFT18N100Q3
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4890pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 830W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-268
Пакет / Дело : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA