Toshiba Semiconductor and Storage - TPN4R203NC,L1Q

KEY Part #: K6420640

TPN4R203NC,L1Q Цены (доллары США) [223414шт сток]

  • 1 pcs$0.17387
  • 5,000 pcs$0.17301

номер части:
TPN4R203NC,L1Q
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - JFETs, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R203NC,L1Q electronic components. TPN4R203NC,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN4R203NC,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN4R203NC,L1Q Атрибуты продукта

номер части : TPN4R203NC,L1Q
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Серии : U-MOSVIII
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 23A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1370pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 700mW (Ta), 22W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в