Vishay Semiconductor Diodes Division - VF30100S-E3/4W

KEY Part #: K6445643

VF30100S-E3/4W Цены (доллары США) [57375шт сток]

  • 1 pcs$0.66060
  • 10 pcs$0.59496
  • 25 pcs$0.56126
  • 100 pcs$0.47818
  • 250 pcs$0.44902
  • 500 pcs$0.39289
  • 1,000 pcs$0.30794
  • 2,500 pcs$0.28670
  • 5,000 pcs$0.28316

номер части:
VF30100S-E3/4W
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE SCHOTTKY 100V 30A ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VF30100S-E3/4W electronic components. VF30100S-E3/4W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VF30100S-E3/4W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VF30100S-E3/4W Атрибуты продукта

номер части : VF30100S-E3/4W
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE SCHOTTKY 100V 30A ITO220AB
Серии : TMBS®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 30A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 910mV @ 30A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 1mA @ 100V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Комплект поставки устройства : ITO-220AB
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • PMEG2010AEK,115

    NXP USA Inc.

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMT3.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • SBL1030HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB.

  • UGB5JT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB.

  • UGB5JTHE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB.

  • UGB12JTHE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB.