Vishay Semiconductor Diodes Division - VSSB410S-M3/52T

KEY Part #: K6446858

VSSB410S-M3/52T Цены (доллары США) [506068шт сток]

  • 1 pcs$0.07713
  • 750 pcs$0.07674
  • 1,500 pcs$0.05756
  • 2,250 pcs$0.05276
  • 5,250 pcs$0.04956
  • 18,750 pcs$0.04636
  • 37,500 pcs$0.04263

номер части:
VSSB410S-M3/52T
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 4A,100V,TRENCH SKY RECT.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VSSB410S-M3/52T electronic components. VSSB410S-M3/52T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VSSB410S-M3/52T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VSSB410S-M3/52T Атрибуты продукта

номер части : VSSB410S-M3/52T
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
Серии : TMBS®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1.9A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 770mV @ 4A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 250µA @ 100V
Емкость @ Vr, F : 230pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AA, SMB
Комплект поставки устройства : DO-214AA (SMB)
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GPP60G-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60B-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

  • BYM07-200HE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • SBLB1030HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.

  • SBLB10L25HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB.

  • NSB8JTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB.