Vishay Semiconductor Diodes Division - BYD33KGPHE3/54

KEY Part #: K6437554

BYD33KGPHE3/54 Цены (доллары США) [827184шт сток]

  • 1 pcs$0.04472
  • 11,000 pcs$0.04052

номер части:
BYD33KGPHE3/54
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYD33KGPHE3/54 electronic components. BYD33KGPHE3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYD33KGPHE3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYD33KGPHE3/54 Атрибуты продукта

номер части : BYD33KGPHE3/54
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 1A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 300ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 800V
Емкость @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-204AL, DO-41, Axial
Комплект поставки устройства : DO-204AL (DO-41)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • GL34D/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM