Vishay Siliconix - SIR165DP-T1-GE3

KEY Part #: K6396128

SIR165DP-T1-GE3 Цены (доллары США) [120687шт сток]

  • 1 pcs$0.30647

номер части:
SIR165DP-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIR165DP-T1-GE3 electronic components. SIR165DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR165DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR165DP-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIR165DP-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8
Серии : TrenchFET® Gen III
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 138nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4930pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 69.4W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в