Taiwan Semiconductor Corporation - TSM650P02CX RFG

KEY Part #: K6404901

TSM650P02CX RFG Цены (доллары США) [969334шт сток]

  • 1 pcs$0.03816

номер части:
TSM650P02CX RFG
производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Подробное описание:
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P02CX RFG electronic components. TSM650P02CX RFG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM650P02CX RFG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM650P02CX RFG Атрибуты продукта

номер части : TSM650P02CX RFG
производитель : Taiwan Semiconductor Corporation
Описание : MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 5.1nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 515pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.56W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в