Littelfuse Inc. - MG17225WB-BN4MM

KEY Part #: K6532603

MG17225WB-BN4MM Цены (доллары США) [511шт сток]

  • 1 pcs$90.73900
  • 60 pcs$82.65950

номер части:
MG17225WB-BN4MM
производитель:
Littelfuse Inc.
Подробное описание:
IGBT MOD 1700V 225A PKG WB CRTB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Littelfuse Inc. MG17225WB-BN4MM electronic components. MG17225WB-BN4MM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MG17225WB-BN4MM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MG17225WB-BN4MM Атрибуты продукта

номер части : MG17225WB-BN4MM
производитель : Littelfuse Inc.
Описание : IGBT MOD 1700V 225A PKG WB CRTB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1700V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 325A
Мощность - Макс : 1400W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 225A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 3mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 20.5nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : WB

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.