ON Semiconductor - FDPF18N20FT-G

KEY Part #: K6419112

FDPF18N20FT-G Цены (доллары США) [91815шт сток]

  • 1 pcs$0.42586

номер части:
FDPF18N20FT-G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N CH 200V 18A TO220F.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDPF18N20FT-G electronic components. FDPF18N20FT-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDPF18N20FT-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDPF18N20FT-G Атрибуты продукта

номер части : FDPF18N20FT-G
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N CH 200V 18A TO220F
Серии : UniFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1180pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 35W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220F
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в