Infineon Technologies - IRL3705NSTRLPBF

KEY Part #: K6401026

IRL3705NSTRLPBF Цены (доллары США) [66906шт сток]

  • 1 pcs$0.58442
  • 800 pcs$0.50575

номер части:
IRL3705NSTRLPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Модули, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRL3705NSTRLPBF electronic components. IRL3705NSTRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL3705NSTRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRL3705NSTRLPBF Атрибуты продукта

номер части : IRL3705NSTRLPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 89A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 98nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3600pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в