Diodes Incorporated - ZXMN3A14FQTA

KEY Part #: K6393863

ZXMN3A14FQTA Цены (доллары США) [277874шт сток]

  • 1 pcs$0.13311
  • 3,000 pcs$0.11828

номер части:
ZXMN3A14FQTA
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated ZXMN3A14FQTA electronic components. ZXMN3A14FQTA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN3A14FQTA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN3A14FQTA Атрибуты продукта

номер части : ZXMN3A14FQTA
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.9A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 8.6nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 448pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.5W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23-3
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в