Microsemi Corporation - APT200GN60J

KEY Part #: K6533708

APT200GN60J Цены (доллары США) [2736шт сток]

  • 1 pcs$15.83096
  • 10 pcs$14.64352
  • 25 pcs$13.45627
  • 100 pcs$12.50646
  • 250 pcs$11.47744

номер части:
APT200GN60J
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 600V 283A 682W SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT200GN60J electronic components. APT200GN60J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT200GN60J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT200GN60J Атрибуты продукта

номер части : APT200GN60J
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 600V 283A 682W SOT227
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 283A
Мощность - Макс : 682W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.85V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 25µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 14.1nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : ISOTOP
Комплект поставки устройства : ISOTOP®

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

  • VS-GT100DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

  • VS-GB75SA120UP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MODULE IGBT SOT-227.