ON Semiconductor - FQB7N60TM

KEY Part #: K6392691

FQB7N60TM Цены (доллары США) [75712шт сток]

  • 1 pcs$0.51644
  • 800 pcs$0.50140

номер части:
FQB7N60TM
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FQB7N60TM electronic components. FQB7N60TM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB7N60TM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQB7N60TM Атрибуты продукта

номер части : FQB7N60TM
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
Серии : QFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7.4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1430pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в