IXYS - IXTP26P20P

KEY Part #: K6401071

IXTP26P20P Цены (доллары США) [17578шт сток]

  • 1 pcs$2.69708
  • 10 pcs$2.40754
  • 100 pcs$1.97403
  • 500 pcs$1.59846
  • 1,000 pcs$1.34810

номер части:
IXTP26P20P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET P-CH 200V 26A TO-220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTP26P20P electronic components. IXTP26P20P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP26P20P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP26P20P Атрибуты продукта

номер части : IXTP26P20P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
Серии : PolarP™
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 26A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2740pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в