ON Semiconductor - HUFA76409D3ST

KEY Part #: K6403286

HUFA76409D3ST Цены (доллары США) [226678шт сток]

  • 1 pcs$0.16317
  • 2,500 pcs$0.15360

номер части:
HUFA76409D3ST
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor HUFA76409D3ST electronic components. HUFA76409D3ST can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUFA76409D3ST, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HUFA76409D3ST Атрибуты продукта

номер части : HUFA76409D3ST
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Серии : Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 485pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 49W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252AA
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в