ON Semiconductor - FDD9409L-F085

KEY Part #: K6403207

FDD9409L-F085 Цены (доллары США) [123230шт сток]

  • 1 pcs$0.30015

номер части:
FDD9409L-F085
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDD9409L-F085 electronic components. FDD9409L-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD9409L-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD9409L-F085 Атрибуты продукта

номер части : FDD9409L-F085
производитель : ON Semiconductor
Описание : NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3360pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 150W (Tj)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252, (D-Pak)
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в