Vishay Semiconductor Diodes Division - FESF16DT-E3/45

KEY Part #: K6455739

FESF16DT-E3/45 Цены (доллары США) [43906шт сток]

  • 1 pcs$0.89055
  • 1,000 pcs$0.42650

номер части:
FESF16DT-E3/45
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 16A ITO220AC. Rectifiers 200 Volt 16 Amp 35ns Single
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESF16DT-E3/45 electronic components. FESF16DT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESF16DT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FESF16DT-E3/45 Атрибуты продукта

номер части : FESF16DT-E3/45
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 200V 16A ITO220AC
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 16A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 975mV @ 16A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 35ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Комплект поставки устройства : ITO-220AC
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDSH-4E TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers Enh Spec Schottky 40Vrrm 200mA 250mW

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns