Microsemi Corporation - APTGTQ200SK65T3G

KEY Part #: K6533094

APTGTQ200SK65T3G Цены (доллары США) [1877шт сток]

  • 1 pcs$23.06400

номер части:
APTGTQ200SK65T3G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
POWER MODULE - IGBT.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGTQ200SK65T3G electronic components. APTGTQ200SK65T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGTQ200SK65T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGTQ200SK65T3G Атрибуты продукта

номер части : APTGTQ200SK65T3G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : POWER MODULE - IGBT
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Buck Chopper
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 200A
Мощность - Макс : 483W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 200µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 12nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : SP3F