Vishay Siliconix - IRFD9010

KEY Part #: K6392851

IRFD9010 Цены (доллары США) [66291шт сток]

  • 1 pcs$0.59278
  • 2,500 pcs$0.58983

номер части:
IRFD9010
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Модули питания драйверов, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix IRFD9010 electronic components. IRFD9010 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFD9010, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFD9010 Атрибуты продукта

номер части : IRFD9010
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 50V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 580mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 240pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Пакет / Дело : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Вы также можете быть заинтересованы в