IXYS - IXFN70N120SK

KEY Part #: K6396356

IXFN70N120SK Цены (доллары США) [911шт сток]

  • 1 pcs$50.99035

номер части:
IXFN70N120SK
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFN70N120SK electronic components. IXFN70N120SK can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN70N120SK, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN70N120SK Атрибуты продукта

номер части : IXFN70N120SK
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 68A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 15mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 161nC @ 20V
Vgs (Макс) : +20V, -5V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2790pF @ 1000V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в