Diodes Incorporated - SBRT05U20LP-7B

KEY Part #: K6454605

SBRT05U20LP-7B Цены (доллары США) [609895шт сток]

  • 1 pcs$0.06065
  • 10,000 pcs$0.05345

номер части:
SBRT05U20LP-7B
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
DIODE SBR X1-DFN1006-2. Schottky Diodes & Rectifiers SBR Diode
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated SBRT05U20LP-7B electronic components. SBRT05U20LP-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBRT05U20LP-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBRT05U20LP-7B Атрибуты продукта

номер части : SBRT05U20LP-7B
производитель : Diodes Incorporated
Описание : DIODE SBR X1-DFN1006-2
Серии : TrenchSBR®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Super Barrier
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 20V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 500mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 390mV @ 500mA
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 6ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 50µA @ 20V
Емкость @ Vr, F : 14pF @ 20V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 0402 (1006 Metric)
Комплект поставки устройства : X1-DFN1006-2
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C4D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A

  • 1N4150W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SE20FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM

  • BYM10-200-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated