IXYS - IXFH60N60X

KEY Part #: K6394714

IXFH60N60X Цены (доллары США) [9705шт сток]

  • 1 pcs$4.69416
  • 50 pcs$4.67080

номер части:
IXFH60N60X
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH60N60X electronic components. IXFH60N60X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH60N60X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH60N60X Атрибуты продукта

номер части : IXFH60N60X
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 600V 60A TO247
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 143nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5800pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 890W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3