Infineon Technologies - IPD26N06S2L35ATMA2

KEY Part #: K6420989

IPD26N06S2L35ATMA2 Цены (доллары США) [313051шт сток]

  • 1 pcs$0.11815
  • 2,500 pcs$0.11254

номер части:
IPD26N06S2L35ATMA2
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD26N06S2L35ATMA2 electronic components. IPD26N06S2L35ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD26N06S2L35ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD26N06S2L35ATMA2 Атрибуты продукта

номер части : IPD26N06S2L35ATMA2
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 26µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 621pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 68W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3-11
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в