Vishay Siliconix - SI8800EDB-T2-E1

KEY Part #: K6418556

SI8800EDB-T2-E1 Цены (доллары США) [541461шт сток]

  • 1 pcs$0.06865
  • 3,000 pcs$0.06831

номер части:
SI8800EDB-T2-E1
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы специального назначения and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI8800EDB-T2-E1 electronic components. SI8800EDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8800EDB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8800EDB-T2-E1 Атрибуты продукта

номер части : SI8800EDB-T2-E1
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : -
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 8.3nC @ 8V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 4-Microfoot
Пакет / Дело : 4-XFBGA, CSPBGA