Microsemi Corporation - APT100GT120JR

KEY Part #: K6532756

APT100GT120JR Цены (доллары США) [2171шт сток]

  • 1 pcs$20.04945
  • 11 pcs$19.94970

номер части:
APT100GT120JR
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT 1200V 123A 570W SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT100GT120JR electronic components. APT100GT120JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT100GT120JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GT120JR Атрибуты продукта

номер части : APT100GT120JR
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT 1200V 123A 570W SOT227
Серии : Thunderbolt IGBT®
Состояние детали : Active
Тип IGBT : NPT
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 123A
Мощность - Макс : 570W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 100µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 6.7nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC
Комплект поставки устройства : ISOTOP®

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT