Infineon Technologies - IRLML6401TRPBF

KEY Part #: K6421518

IRLML6401TRPBF Цены (доллары США) [698181шт сток]

  • 1 pcs$0.23730
  • 10 pcs$0.16730
  • 100 pcs$0.10983
  • 500 pcs$0.06489
  • 1,000 pcs$0.04992

номер части:
IRLML6401TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRLML6401TRPBF electronic components. IRLML6401TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLML6401TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLML6401TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRLML6401TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 12V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4.3A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 15nC @ 5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 830pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.3W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : Micro3™/SOT-23
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в