Infineon Technologies - IRF2807STRLPBF

KEY Part #: K6419067

IRF2807STRLPBF Цены (доллары США) [89826шт сток]

  • 1 pcs$0.43530
  • 800 pcs$0.37670

номер части:
IRF2807STRLPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRF2807STRLPBF electronic components. IRF2807STRLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF2807STRLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF2807STRLPBF Атрибуты продукта

номер части : IRF2807STRLPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 75V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 82A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3820pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 230W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в