BAV21W-E3-18 Цены (доллары США) [2307461шт сток]
- 1 pcs$0.01603
- 10,000 pcs$0.01483
- номер части:
- BAV21W-E3-18
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 250V 625mA 1A IFSM
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы специального назначения and Тиристоры - СКВ - Модули ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV21W-E3-18 electronic components. BAV21W-E3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV21W-E3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV21W-E3-18 Атрибуты продукта
номер части :
BAV21W-E3-18
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD123
Серии :
Automotive, AEC-Q101
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
250mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1V @ 100mA
скорость :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
50ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
100nA @ 150V
Емкость @ Vr, F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
SOD-123
Комплект поставки устройства :
SOD-123
Рабочая температура - соединение :
175°C (Max)
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
Горячие части
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18