IXYS - IXFH46N65X2

KEY Part #: K6394732

IXFH46N65X2 Цены (доллары США) [15730шт сток]

  • 1 pcs$3.51679
  • 10 pcs$3.16334
  • 100 pcs$2.60079
  • 500 pcs$2.17904
  • 1,000 pcs$1.89787

номер части:
IXFH46N65X2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 46A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - одинарные, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFH46N65X2 electronic components. IXFH46N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH46N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH46N65X2 Атрибуты продукта

номер части : IXFH46N65X2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 650V 46A TO-247
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 46A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 76 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4810pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 660W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3