ON Semiconductor - MMBD914LT1G

KEY Part #: K6458537

MMBD914LT1G Цены (доллары США) [4732865шт сток]

  • 1 pcs$0.00792
  • 3,000 pcs$0.00788
  • 6,000 pcs$0.00710
  • 15,000 pcs$0.00618
  • 30,000 pcs$0.00556
  • 75,000 pcs$0.00494
  • 150,000 pcs$0.00411

номер части:
MMBD914LT1G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 200mA
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Модули питания драйверов, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor MMBD914LT1G electronic components. MMBD914LT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMBD914LT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMBD914LT1G Атрибуты продукта

номер части : MMBD914LT1G
производитель : ON Semiconductor
Описание : DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 200mA (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 10mA
скорость : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) : 4ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 75V
Емкость @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства : SOT-23-3 (TO-236)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 1SS294,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA

  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAS40-00-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 40 Volt 200mA

  • BAS70-00-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single AUTO

  • BAS70-00-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single

  • BAS70-00-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23. Schottky Diodes & Rectifiers 70 Volt 200mA Single