Infineon Technologies - BSS209PWH6327XTSA1

KEY Part #: K6419340

BSS209PWH6327XTSA1 Цены (доллары США) [1297466шт сток]

  • 1 pcs$0.02851
  • 3,000 pcs$0.02541

номер части:
BSS209PWH6327XTSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ - Модули, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSS209PWH6327XTSA1 electronic components. BSS209PWH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS209PWH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS209PWH6327XTSA1 Атрибуты продукта

номер части : BSS209PWH6327XTSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 630mA (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 3.5µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 1.3nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 115pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-SOT323-3
Пакет / Дело : SC-70, SOT-323

Вы также можете быть заинтересованы в