Infineon Technologies - IDP12E120XKSA1

KEY Part #: K6440321

IDP12E120XKSA1 Цены (доллары США) [76299шт сток]

  • 1 pcs$0.51247
  • 500 pcs$0.37994

номер части:
IDP12E120XKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 12A
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IDP12E120XKSA1 electronic components. IDP12E120XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDP12E120XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDP12E120XKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IDP12E120XKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO220-2
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 28A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 2.15V @ 12A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 150ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2
Комплект поставки устройства : PG-TO220-2-2
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • 1N4585GP-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC. Rectifiers 1A,800V,STD SUPERECT,DO-15

  • GP15M-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5 Amp 50 Amp IFSM