Vishay Siliconix - SQJ486EP-T1_GE3

KEY Part #: K6416934

SQJ486EP-T1_GE3 Цены (доллары США) [178202шт сток]

  • 1 pcs$0.20756
  • 3,000 pcs$0.17541

номер части:
SQJ486EP-T1_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ486EP-T1_GE3 electronic components. SQJ486EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ486EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ486EP-T1_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQJ486EP-T1_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 75V POWERPAK SO8L
Серии : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 75V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 51A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1386pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 56W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.