ON Semiconductor - FDPF55N06

KEY Part #: K6406405

FDPF55N06 Цены (доллары США) [50010шт сток]

  • 1 pcs$0.74004
  • 10 pcs$0.65600
  • 100 pcs$0.51832
  • 500 pcs$0.40196
  • 1,000 pcs$0.30018

номер части:
FDPF55N06
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220F.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - JFETs and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDPF55N06 electronic components. FDPF55N06 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDPF55N06, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDPF55N06 Атрибуты продукта

номер части : FDPF55N06
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 60V 55A TO-220F
Серии : UniFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 55A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1510pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 48W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220F
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в