ON Semiconductor - ISL9R18120G2

KEY Part #: K6441630

ISL9R18120G2 Цены (доллары США) [26720шт сток]

  • 1 pcs$1.58211
  • 10 pcs$1.42082
  • 100 pcs$1.10458
  • 500 pcs$0.94031
  • 1,000 pcs$0.79303

номер части:
ISL9R18120G2
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 18A 1200V Stealt
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Модули питания драйверов, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Программируемый однопереход and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor ISL9R18120G2 electronic components. ISL9R18120G2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ISL9R18120G2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ISL9R18120G2 Атрибуты продукта

номер части : ISL9R18120G2
производитель : ON Semiconductor
Описание : DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247
Серии : Stealth™
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 18A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 3.3V @ 18A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 70ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-247-2
Комплект поставки устройства : TO-247-2
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • CDBDSC5650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VSB20L45-M3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A P600.