Microsemi Corporation - APTGT75DA120D1G

KEY Part #: K6534001

[646шт сток]


    номер части:
    APTGT75DA120D1G
    производитель:
    Microsemi Corporation
    Подробное описание:
    IGBT 1200V 110A 357W D1.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Диоды - мостовые выпрямители and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Microsemi Corporation APTGT75DA120D1G electronic components. APTGT75DA120D1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT75DA120D1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGT75DA120D1G Атрибуты продукта

    номер части : APTGT75DA120D1G
    производитель : Microsemi Corporation
    Описание : IGBT 1200V 110A 357W D1
    Серии : -
    Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
    Тип IGBT : Trench Field Stop
    конфигурация : Single
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 110A
    Мощность - Макс : 357W
    Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 75A
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : 4mA
    Входная емкость (Cies) @ Vce : 5345nF @ 25V
    вход : Standard
    NTC Термистор : No
    Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Chassis Mount
    Пакет / Дело : D1
    Комплект поставки устройства : D1