IXYS - IXFN200N10P

KEY Part #: K6394556

IXFN200N10P Цены (доллары США) [4825шт сток]

  • 1 pcs$9.47483
  • 10 pcs$9.42769

номер части:
IXFN200N10P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFN200N10P electronic components. IXFN200N10P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN200N10P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN200N10P Атрибуты продукта

номер части : IXFN200N10P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Серии : Polar™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 200A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 235nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7600pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 680W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC