Global Power Technologies Group - GHIS060A120S-A1

KEY Part #: K6532741

GHIS060A120S-A1 Цены (доллары США) [2142шт сток]

  • 1 pcs$20.21841
  • 10 pcs$18.90774
  • 25 pcs$17.48680
  • 100 pcs$16.39387
  • 250 pcs$15.30095

номер части:
GHIS060A120S-A1
производитель:
Global Power Technologies Group
Подробное описание:
IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Global Power Technologies Group GHIS060A120S-A1 electronic components. GHIS060A120S-A1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GHIS060A120S-A1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS060A120S-A1 Атрибуты продукта

номер части : GHIS060A120S-A1
производитель : Global Power Technologies Group
Описание : IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 120A
Мощность - Макс : 680W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 60A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 2mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 8nF @ 30V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC
Комплект поставки устройства : SOT-227

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT