Toshiba Semiconductor and Storage - TK6A60W,S4VX

KEY Part #: K6418089

TK6A60W,S4VX Цены (доллары США) [51384шт сток]

  • 1 pcs$0.84122
  • 50 pcs$0.83704

номер части:
TK6A60W,S4VX
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK6A60W,S4VX electronic components. TK6A60W,S4VX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK6A60W,S4VX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK6A60W,S4VX Атрибуты продукта

номер части : TK6A60W,S4VX
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS
Серии : DTMOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 310µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 390pF @ 300V
Функция FET : Super Junction
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 30W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220SIS
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в
  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • AUIRFR2905Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRFI3306GPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A TO220.

  • SPA16N50C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP.

  • IPA60R299CPXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.