Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-25MT060WFAPBF

KEY Part #: K6532810

VS-25MT060WFAPBF Цены (доллары США) [1708шт сток]

  • 1 pcs$25.35698
  • 105 pcs$24.14954

номер части:
VS-25MT060WFAPBF
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
IGBT 600V 69A 195W MTP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-25MT060WFAPBF electronic components. VS-25MT060WFAPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-25MT060WFAPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-25MT060WFAPBF Атрибуты продукта

номер части : VS-25MT060WFAPBF
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : IGBT 600V 69A 195W MTP
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Full Bridge Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 69A
Мощность - Макс : 195W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3.25V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 5.42nF @ 30V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : 16-MTP Module
Комплект поставки устройства : MTP

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GB75LA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A LS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT

  • VS-GT140DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 652W SOT-227.