Microsemi Corporation - APTGT600U170D4G

KEY Part #: K6532707

APTGT600U170D4G Цены (доллары США) [504шт сток]

  • 1 pcs$92.47423
  • 10 pcs$88.00937
  • 25 pcs$84.82073

номер части:
APTGT600U170D4G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT600U170D4G electronic components. APTGT600U170D4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT600U170D4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT600U170D4G Атрибуты продукта

номер части : APTGT600U170D4G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1700V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 1100A
Мощность - Макс : 2900W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 600A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 51nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : D4
Комплект поставки устройства : D4

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.