GeneSiC Semiconductor - GB02SLT12-252

KEY Part #: K6452531

GB02SLT12-252 Цены (доллары США) [55641шт сток]

  • 1 pcs$0.81280
  • 2,500 pcs$0.80875
  • 5,000 pcs$0.77835

номер части:
GB02SLT12-252
производитель:
GeneSiC Semiconductor
Подробное описание:
DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Модули питания драйверов, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252 electronic components. GB02SLT12-252 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB02SLT12-252, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB02SLT12-252 Атрибуты продукта

номер части : GB02SLT12-252
производитель : GeneSiC Semiconductor
Описание : DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 5A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.8V @ 2A
скорость : No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 0ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 50µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F : 131pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект поставки устройства : TO-252
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 175°C
Вы также можете быть заинтересованы в
  • MBRD6100CT-TP

    Micro Commercial Co

    6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER

  • RHRD660S9A

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode

  • C3D02065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V

  • V10WL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 10A 45V DPAK.

  • BYM10-600-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM11-1000-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated