Infineon Technologies - FS25R12W1T4BOMA1

KEY Part #: K6534655

FS25R12W1T4BOMA1 Цены (доллары США) [2473шт сток]

  • 1 pcs$17.50811

номер части:
FS25R12W1T4BOMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE 1200V 25A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FS25R12W1T4BOMA1 electronic components. FS25R12W1T4BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS25R12W1T4BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS25R12W1T4BOMA1 Атрибуты продукта

номер части : FS25R12W1T4BOMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE 1200V 25A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 45A
Мощность - Макс : 205W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 25A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 1.45nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.