Infineon Technologies - F3L300R12ME4B23BOSA1

KEY Part #: K6534226

F3L300R12ME4B23BOSA1 Цены (доллары США) [536шт сток]

  • 1 pcs$86.54015

номер части:
F3L300R12ME4B23BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE VCES 650V 300A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Программируемый однопереход and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies F3L300R12ME4B23BOSA1 electronic components. F3L300R12ME4B23BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F3L300R12ME4B23BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F3L300R12ME4B23BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : F3L300R12ME4B23BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE VCES 650V 300A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : 2 Independent
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 450A
Мощность - Макс : 1550W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 300A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 19nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module